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　　半导体分立器件是构成集成电途的基础，包蕴豪爽的双端口或三端口器件，如二极管，晶体管，场效应管等。

　　BJT/MOSFET直流特质试验的垂危目标是经验考查培植工程师提取半导体器件的根本I-V特质参数，并正在完全工艺进程终结后评估器件的曲直。正在半导格局程的众个阶段都有独揽，如金属互连，镀层阶段，芯片封装后的试验等。

　　普赛斯风范诱导的半导体分立器件I-V特色实践打定，由一台或两台源厉谨源勘测单位（SMU）、夹具或探针台、上位机软件组成。以三端口MOSFET器件为例，配套以下修筑：

　　有合搭筑BJT/MOSFET直流特质实验测验需要哪些仪器呢？的更众音信请筹议一八一四零六六三四七六

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