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　　半导体分立器件是构成集成电道的泉源，搜罗巨额的双端口或三端口器件，如二极管，晶体管，场效应管等。

　　MOSFET直流特征试验尝试急急主张是颠末测试称赞工程师提取半导体器件的来源I-V特点参数，并正在一概工艺流程杀青后评估器件的瑕瑜。正在半导体系程的众个阶段都有应用，如金属互连，镀层阶段，芯片封装后的试验等。

　　普赛斯神情启迪的半导体分立器件I-V特点试验计较，由一台或两台源工致源勘察单位（SMU）、夹具或探针台、上位机软件组成。以三端口MOSFET器件为例，配套以下树立：

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